局放發生的微觀理（lǐ）論

一般認為，局部放電是一（yī）種未發生擊（jī）穿的放電（diàn）現象，具體來講，是指絕緣係統在電場作用下隻有部分（fèn）區域發生放電但沒有穿透施加電壓的導體之間的（de）放（fàng）電現象。

局部（bù）放電不（bú）會造成絕緣係統的貫穿性擊穿，但是會局部破壞電（diàn）介質材料尤其是有機材料。長期（qī）發生的局（jú）部放電會降（jiàng）低絕緣（yuán）材料的電氣強（qiáng）度。所（suǒ）以局部放電（diàn）對絕緣係統的破壞（huài）是一個又（yòu）量變到質（zhì）變的過程，對高壓電氣設備的正常運行構成（chéng）隱患。一般根據（jù）設備不同條件的下的局放特性可以評估其（qí）絕緣水平。

目前對於局部放電的描述有兩（liǎng）大微（wēi）觀理論：湯（tāng）遜理論和流注理論。

（1）湯遜理論：自由電（diàn）子在電廠加速運動（dòng）過（guò）程中與中性氣體分子碰撞，當能量達到一定高度時，氣體電離產生電（diàn）子，這樣就有了新的（de）自由（yóu）電子和離子，這（zhè）些電子繼續運（yùn）動，再（zài）繼續碰撞產生新的電離和離子。如（rú）此（cǐ）循環，自由電子的數目成α倍增長，於是形成了電子崩，當滿足自持放（fàng）電條件時，就會發生局部放電。湯遜理（lǐ）論適用於pd(p為氣體壓強，d為放電間隙)值較小的情況下。

（2）流注理論：該理論（lùn）是在（zài）湯遜理論的基礎（chǔ）上發生的，適用於pd值較大的情況下。它著重強調氣體空間的光電離（lí）現象。電子（zǐ）崩發生時，電崩頭（tóu）與崩尾的離子濃度達到一定程度就會發出（chū）光子，光子再激發（fā）中性分子放電進而產生二次電（diàn）子崩。兩次雪崩疊加後使電子崩中部的（de）等離子區迅速擴大，當擴大到貫穿電子（zǐ）崩兩極時就發生了氣體放電。氣體放電沿著一條狹窄的等離子通道（dào）產生，從而形成流注（zhù）放電（diàn），流注放（fàng）電一旦形成，放電就轉入自（zì）持，局部放電就產生了。