高頻振蕩波(OSI)試驗是通過直流電源給電(diàn)力電纜充電(diàn)。試(shì)驗原理圖如圖所示,直(zhí)流電源先對電容C1充電(diàn),當達到預期的試驗電壓(yā)之後,通(tōng)過放(fàng)電球隙給串聯電阻R2和電抗L,試品電容Cx放電,得到一個阻(zǔ)尼振蕩電壓。從而在試品電容上產生高(gāo)壓Ux。


高頻震蕩波試驗電路圖
高頻振蕩波(OSI)試驗是通過直流電源給電(diàn)力電纜充電(diàn)。試(shì)驗原理圖如圖所示,直(zhí)流電源先對電容C1充電(diàn),當達到預期的試驗電壓(yā)之後,通(tōng)過放(fàng)電球隙給串聯電阻R2和電抗L,試品電容Cx放電,得到一個阻(zǔ)尼振蕩電壓。從而在試品電容上產生高(gāo)壓Ux。
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