局部（bù）放電最（zuì）常見也是（shì）最容易模擬的（de）放電形式是絕緣介（jiè）質內部的單氣隙放電，其（qí）放電（diàn）情況如圖（tú）1.1(a)時所示。圖中c是絕緣介質內部由於工藝（yì）缺陷或者老化形成的氣隙，b是絕緣內部與c分（fèn）壓的部分介質，可（kě）視作與b串聯，a是絕緣完好的部（bù）分，通常承受電壓與b，c總電壓（yā）相同。
單氣隙局部放電示意圖
用（yòng）交流電場下的平行板電極來模擬（nǐ）局（jú）部放電時，可以用圖1.1(b)所示的等效電路來分析整個放電過程。圖中（zhōng）δ是氣隙厚度，d表示整個介（jiè）質的厚度（dù），Ra、Ca、Rb、Cb、Rc、Cc分別表示相應部分的電阻和電（diàn）容。從等（děng）效電路可知，氣隙上與介質（zhì）b上的電壓之比與它們的電容值之比（bǐ）相反，並且由於氣體擊穿（chuān）場（chǎng）強一般遠小於固（gù）體擊（jī）穿（chuān）場強，因此當氣隙上的電壓隨外施電場升（shēng）高（gāo）而達到氣隙放電電壓時（shí），氣隙（xì）會首（shǒu）先發生放電擊穿，使得氣（qì）隙上的電壓突降，但氣隙（xì）以外的部分（fèn）則會繼續保持絕緣，因此兩（liǎng）電極之間並不存（cún）在貫通（tōng）性放電通道，這種放電就被稱為局部放電。常用的電氣設備中，使用的固體（tǐ）或液體絕緣介質經常會不（bú）同程度的（de）摻雜著一些雜質，如水分、氣泡等，這些雜質是由於（yú）工藝精度、製造缺陷和設備運行老化等產生的，使得介（jiè）質不可能擁有非（fēi）常高的純度。由（yóu）於絕緣介質和雜質之間電導率和介電常數的不同，當存在外加電壓時，分（fèn）壓作用會使得雜質附近承受更高的場強，在外加電（diàn）壓（yā）的（de）作用下，雜質部位更（gèng）容易達到擊穿（chuān）場強，從而引起局部（bù）放電。局部放電並不一定需要由雜質引起，其根本原因是介質中的極不均勻電場，隻要由於某種原因使電場分布極不均勻，就有可能引起局部放電（diàn）。
目前的局部放電（diàn）理論（lùn）還很（hěn）不完善，實際應用中還沒有計算公式（shì）能夠準確地計算擊（jī）穿電壓。目前（qián）學術界普遍采用湯遜氣體放電（diàn）理論和流注放電（diàn）理論來（lái）解釋電氣係統中的局部放（fàng）電。
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