局部放電產生的微觀理論-國浩電（diàn）氣
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局部放電產生（shēng）的（de）微觀理（lǐ）論

發布時間：2020-08-04 04:00:59人氣：

局（jú）部放（fàng）電
局部放電通常（cháng）不會使絕緣介質的放電通道穩定存在，但該現象的（de）發生（shēng）會降低絕緣介質的電氣性能（néng）和（hé）機械性能。因此局部放電（diàn）對絕（jué）緣介質（zhì）的（de）影響是逐（zhú）漸積累緩慢發展的過程（chéng），嚴重影響到電（diàn）氣設備的穩定正常的（de）工作及生產安全。對局部放電的微觀原理的研究主要有兩種：湯遜理論和流注理論。

（1）湯遜放電理論

自由（yóu）電子在電（diàn）場中被加速並與氣體（tǐ）中的（de）微觀粒子發生撞擊（jī），在此過（guò）程中電（diàn）子的能（néng）量不斷升高。電子能量升高到某（mǒu）個臨界點後，氣體發生電離產生新的（de）自由電子和離子，這些電子持續運動，進一步出現更（gèng）多新的電子和離子。該過程不斷進（jìn）行，自（zì）由電子呈指數增加，最終導致（zhì）電子崩，達到自持放電條件時，會發生局部放電現象。湯遜放電理論通常應用在低氣壓且間隙較小的情況。

（2）流注（zhù）放電理論

隨著研究的（de）深入1939年H.Raether充分認識到了湯遜放電的局限並（bìng）尋求在此理論之上的拓展及補充，最終提出了一種新的解釋：流注放電理論。流注放電（diàn）認為電子崩的場強與（yǔ）外施電場（chǎng）在氣體間隙的場強強度是自持放電的重要條件，電場（chǎng）畸變最終會產生流注現象。流注放電產生的原因是在出現電子崩時，電子崩頭尾（wěi）之間的離子濃度差達到臨界值時發生輝光放（fàng）電，氣體中的中性分子受到輝光放（fàng）電產生的光子影響發生二次電子崩。兩（liǎng）次雪崩累加的影響會產生更多的（de）電子崩，當發展到電子崩兩（liǎng）極時就產生了（le）氣體放電現象。氣體放電通（tōng）過放電通道形成流注放電，流注是（shì）發生自持放電的重要條件（jiàn）之一，該現象進一步發展（zhǎn）為局部放（fàng）電（diàn）。在工程實際（jì）中，造成絕緣劣化的主要原因是流注放電（diàn）。

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