首先發生在極不均勻電場中的放電現象（xiàng）是電暈放電，電暈放電進一步發展成先導放電（diàn），先導放電繼續（xù）發展形成主放電。在極不均勻場中，當電壓高（gāo）到一定程度（dù）後，在氣體間隙完全擊穿前，大曲率電極附近有薄薄的發光（guāng）層，這種放電現象定義為電暈。如果加在SF6氣體間隙上（shàng）的電壓過大，一旦場強集中處的場強高於（yú）臨界場強，放電機理就會出現變化，放電由（yóu）湯姆遜形式過渡到（dào）流注放電（diàn）形式。在電場作用下，SF6氣體中的電子在奔向陽極的過程中不斷發（fā）生碰撞電離，產生電子崩。電子崩的電離過程集中於（yú）頭部，導致其頭部電（diàn）荷密度很大，電離過程強烈，當（dāng）電子崩發展到一定程度時，電子崩形成的空間電荷的電場將大（dà）大（dà）增強（qiáng），致使合成電場發生明顯的畸變，崩頭將放射出大量光子。崩頭（tóu）前後的電場（chǎng）明顯增強，促進激勵現象的發生，產生更多的分子和離子。分子（zǐ）和離子慢慢會從激勵狀（zhuàng）態恢複到正常狀態（tài），在這個過程中（zhōng）會有光子被放射（shè）出來。由於電子崩內的正、負電（diàn）荷區域之間的電場受到削弱（ruò），這大大促進了複合過程的發生，同時也使得更多的光（guāng）子被放射出來。如（rú）果外加電場足夠（gòu）大，達到了擊穿場（chǎng）強，電子崩頭部就會形成流注放電。
當間隙距離較長時，會存在某（mǒu）種新的、不同性質（zhì）的放電過程，即先導放電。要發生（shēng）先導（dǎo）放電，首先要產（chǎn）生流注電暈，流注進而形成先導，先導不斷發展最後導致擊穿。當（dāng）放電發展到一定長度時，由於場強低於臨（lín）界電場強度，放電的發展會暫停。在此期間（jiān），放電通道內累（lèi）積的電子迅（xùn）速附著在SF6分子上，正、負電荷分開，正負空間電荷由（yóu）此形成。此時，在SF6氣體內會有兩種運（yùn）動發生，根據其（qí）帶來的不同影（yǐng）響可分別用莖先導（dǎo）機（jī）理和前驅機理來描（miáo）述。流注形成先導後，先（xiān）導的頭部會產（chǎn）生新的流注電暈（yūn），此流注（zhù）在原（yuán）來先導的基礎上又會發展成一段新的（de）先導，新先導的頭部（bù）又（yòu）產生了流（liú）注電暈，如此（cǐ）多次重複這個過程，先導就會不斷向前推進，最終導致擊（jī）穿。
莖先導機理與前驅機理描述的是流注電暈發展成先導的過程，也是這個放電過程（chéng）的關鍵部分（fèn）。當形成（chéng）流（liú）注電（diàn）暈後，可用莖先導機（jī）理來解釋電暈電流繼續向流（liú）注區帶來新（xīn）能量的原因。流注通道中的電子被陽極吸引，當（dāng）電（diàn）子的濃度足夠高時，電（diàn）流足夠大時，流注通道中（zhōng）就開始熱電離。熱電離致使通道中帶點質點濃度的進（jìn）一步增大，故先導（dǎo）增加、電流繼續加大。流注通道變成（chéng）了有高電導的等離子（zǐ）通（tōng）道，這時在其（qí）頭部又（yòu）會（huì）產生新的流注，使得先導一步（bù）步向（xiàng）前發（fā）展。
前驅機理過程是指帶正電荷的（de）離子和帶負電荷的離（lí）子分（fèn）別向兩（liǎng）個相反的方向漂移，從而（ér）發生（shēng）先導。在強電負（fù）性氣體內，放電端的正極和（hé）負極均可能發生前驅機理過程。前驅先導的（de）發生（shēng）是由於流注產生的離子受（shòu）到電（diàn）場的作用發生空間極（jí）化，大大增強了流注（zhù）前方電場，等達到臨界場強時就形成了前驅先導。當空間電場極化越來（lái）越嚴重時會（huì）對放電產生屏蔽作用，因為這種屏蔽作用放電會受到一定抑製，然後由於流注根部溫度（dù）升高，出現了熱電離過程。熱電離引起（qǐ）通道中帶電質點濃度的進一步（bù）增大，同時空間電荷（hé）發生（shēng）擴散和漂移，減弱了屏蔽，流注前方電場再（zài）次被加強，當電場又一次達到臨界場強的（de）時候，再次發生前驅先導。前（qián）驅區域在非均勻電場中（zhōng）的區域很小，這就意味著在非均勻電場中，前驅形成時候的區域邊緣電場隻有很低的強度，所以前驅發生時的能量損失也很小，同時前驅區域內的（de）空間電（diàn）荷分布的比較集中，能量也比較集中（zhōng）。
以上是對SF6氣體中整個放電過程從最初積累，到（dào）接下來發展（zhǎn），到（dào）最（zuì）後產生局部放電的整個過程做出的分析，包括電暈、流注、先導放電、擊穿（chuān）放（fàng）電、莖先機理以及前驅（qū）機理。在GIS設備中提到局部放電，主要指的是完全擊穿之前所發生的一些局部放電現象，包括電暈（yūn）、流注及先導。雖然很多時候先導放電（diàn）並沒有造成電極與電極之間的完全擊穿，但是（shì）局部放電會誘發（fā）GIS設備內部絕（jué）緣缺陷，並使得絕緣缺陷發展和（hé）進一步惡化。所以，研究GIS內部絕緣缺陷引起的局部放電對於保證GIS的安（ān）全運行具有十分重要（yào）的意義。
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